●通●第PET薄膜在縱向和橫向的F-5值▾在▾100~390MPa.但，這種薄膜對于長時間放聲或小尺寸的[De]磁帶基膜是不夠(Gòu)用的。因▾這▾些磁帶要求薄膜硬度更大。薄膜的有效[Xiào]硬度[Dù]是與(Yǔ)薄膜厚○度○3X▾膜▾模量⋄成⋄比例的[De]，即使薄膜很薄[Báo]，也應該(Gāi)有較▲高▲的模量。高模量的薄(Báo)∇膜∇是由增(Zēng)加薄膜分子取向獲得的。因(Yīn)為縱向∇模∇量與磁(Cí)帶運動性有關，而橫向模量與磁頭接觸性有關，要求在兩個方向◊上◊(Shàng)都具有高模量。（磁帶[Dài]的運(Yùn)動性好壞通常[Cháng]是⋄由⋄磁帶的伸長率[Lǜ]、磁帶邊緣損壞及磁帶的折疊(Dié)狀況來○評○[Píng]價的）。

以下○列○舉了一(Yī)些類型的拉◈伸◈薄膜：

①半拉伸薄膜（縱向F-5值為130-150MPa）；

②一般拉伸薄膜(Mó)（縱向F-5值▿為▿150~180MPa）；

③過拉伸薄膜[Mó]（縱向F-5值[Zhí]為180~220MPa）；

④超過拉伸薄膜(Mó)（縱向F-5值為220~260MPa）；

⑤雙◆側◆拉伸薄膜（縱向F-5值為150MPa；橫向F-5值為[Wéi]140MPa）.

随着(Zhe)拉伸的增加，PET薄膜的熱收[Shōu]縮率收縮率增加，熱收◇縮◇的變化是與F-5值的◆關◆[Guān]系是不可逆的。

生産拉伸薄膜的基本過程如下：

（1）LD方向拉伸；（2）TD方向拉伸(Shēn)；

（3）LD方向再拉伸；

（4）如果[Guǒ]需要(Yào)，TD方向再拉伸；

（5）●熱●(Rè)固化。

LD方向再◇拉◇(Lā)伸是相當[Dāng]困難的，因為薄膜▽非▽常薄[Báo]和寬，會導緻（1）兩邊應(Yīng)成型得相當厚，以防此寬度減小；

（2）預(Yù)熱和拉(Lā)伸輥的偏差應該盡可能小；

（3）拉伸溫度應∆随∆薄膜通過[Guò]機器的進程而升高。

由于(Yú)再拉伸過程通常成本較高，因此▽提▽(Tí)出了另一種方法以降低制造成本。這[Zhè]種新工(Gōng)藝的特點是，第一次◆的◆LD方向拉伸分兩步進(Jìn)行：

（1）流(Liú)延薄膜首◆先◆在120~150℃在LD方向拉▽伸▽，控制拉伸比，使拉伸薄膜的(De)雙折射值◊在◊[Zài]0.005~0.025之間；

（2）之後第▲二▲(èr)次LD方(Fāng)向的拉伸在60~100℃之間進行；

（3）這樣▿獲▿得的單向拉◈伸◈薄膜(Mó)在TD方向◇以◇4.3以上的拉伸比進行拉伸；

（4）獲得[Dé]雙向拉伸薄膜之後再熱固化[Huà]。

根據這樣的◇加◇工工藝，由于不需要再次拉伸過程，因此拉伸薄膜的制造◊成◊本較低。有各種方法生産過拉(Lā)伸∆薄∆膜，下(Xià)面列舉了▾其▾中的[De]一[Yī]些方法。

（1）雙取向的薄膜再[Zài]次同步雙向拉[Lā]伸

第二次同步拉伸(Shēn)的拉伸比分别為：LD方向(Xiàng)為1.05~1.90，TD方向為1.0~1.9.同步拉伸的拉伸溫度在（Tg+10）℃和（Tm-40）℃之間（Tg：玻璃化(Huà)轉變溫[Wēn]度；Tm.熔融◊溫◊(Wēn)度）。

（2）多步LD方向拉伸與再拉伸相結合[Hé]。

●流●延薄膜(Mó)以多步形式在LD方向拉伸[Shēn]為雙(Shuāng)折射值在0.02~0.10的單(Dān)取向薄膜，之後(Hòu)薄膜▾以▾[Yǐ]2.5~45的拉伸比在TD方向拉伸，并以1.5~2.5的拉伸▿比▿在LD方向再拉◈伸◈。經過LD、TD及LD拉伸産品的拉伸比高于25.

（3）多[Duō]步[Bù]LD拉伸與同步雙向拉伸相結合.

流延薄膜以多◊步◊[Bù]形式在LD方(Fāng)向拉伸▾為▾[Wéi]雙折射值[Zhí]在0.02~0.10的單取向薄膜。之後薄膜以高于(Yú)2.5的拉伸比進行TD方向⋄拉⋄(Lā)伸，之後進行[Háng]同步雙向拉伸，此(Cǐ)時(Shí)兩方[Fāng]向的拉伸比在1.4~2.5，産品總的拉伸比在27以上。

（4）伴有區域▲退▲[Tuì]火的區域拉伸。

○區○域拉伸和退火包括在按壓點加熱的張力條件下的薄膜拉伸和退火。區[Qū]域拉伸的目∆的∆是在◆防◆止結(Jié)晶的同○時○獲得較◇高◇的分子取向，它是通(Tōng)過大緻在Ts溫▿度▿時[Shí]薄[Báo]膜的頸縮拉伸獲得(Dé)的。▾區▾(Qū)域退火的目的是在TC-Tm溫度[Dù]之間較高(Gāo)的張▿力▿下，對拉伸薄膜退火的方法，獲得分[Fèn]子鍊▿伸▿長∇的∇晶體。區域退火薄膜的LD方向模量幾乎是原薄(Báo)膜的兩倍，盡管TD方向[Xiàng]的模量[Liàng]有所下降。

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