一、影響[Xiǎng]蒸鍍型氧化矽阻隔性◈包◈裝薄膜性能(Néng)的因素

        蒸鍍基膜、⋄蒸⋄鍍[Dù]方法、蒸鍍條件以[Yǐ]及蒸鍍塗層的組成(Chéng)、蒸鍍層的厚度等，都可能對蒸鍍(Dù)型氧化(Huà)矽阻隔性包裝薄膜(Mó)的性能産生巨大的(De)影響，主○要○可以列舉如下[Xià]。www.zspx.cc南京住野精工[Gōng]阻隔膜生産線


1.基材的選擇性(Xìng)
        如前所述(Shù)，蒸鍍型氧∇化∇[Huà]矽阻隔(Gé)性包裝薄[Báo]膜的阻隔○性○依靠于SiOx塗層，因[Yīn]此在●蒸●煮處理過程中，不能破壞該塗層。蒸鍍型氧化矽阻隔◈性◈包裝薄膜通常[Cháng]與其他薄膜複合(Hé)，制造蒸煮薄膜，選擇蒸煮∆基∆材應當注◇意◇如下幾(Jǐ)個問(Wèn)題。

（1)塑料薄膜的類[Lèi]型

        蒸鍍的氧化(Huà)∆矽∆膜與塑料薄膜(Mó)之(Zhī)∆間∆(Jiān)的黏合牢度與塑料基膜種類之間有較大的關系，PET、PVC等極性◊較◊[Jiào]大的薄膜與氧化矽間的黏合[Hé]性較[Jiào]佳，而非極性的薄膜，與▽氧▽化矽間的黏合力則比較差。

（2)塑料薄膜表面狀态

        蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性，除了受◆蒸◆鍍層的厚度影響之外，更大[Dà]程度上決定[Dìng]于氧化●矽●(Xī)鍍層的均(Jun1)勻性。裂縫、針孔(Kǒng)等缺欠，會導緻蒸鍍(Dù)型○氧○化矽阻隔(Gé)∆性∆包裝薄膜的∆阻∆(Zǔ)隔性明顯下[Xià]降，缺陷的形成除了蒸(Zhēng)鍍層本身的化學[Xué]成分與結構之外(Wài)，◇所◇[Suǒ]用基膜的表●面●平滑性，也(Yě)是一[Yī]個重要因素，粗糙度越大，越容(Róng)易造◊成◊(Chéng)蒸鍍◆缺◆陷，但适量的粗糙度會(Huì)◊使◊蒸(Zhēng)鍍層和基膜的表(Biǎo)面之間●形●成物理錨接，改善▾層▾(Céng)間黏合力。

（3)塑料薄膜的表面預處○理○狀況

      為了得到優質的蒸鍍薄膜，對[Duì]基▿膜▿[Mó]進行适度的表(Biǎo)面電暈處理▽是▽十分[Fèn]必要的。塑[Sù]料薄膜[Mó]●經●過表面電暈處[Chù]理，可在其表面形成氧●化●層(Céng)（通過▲交▲聯、臭氧化、羧基化、硝基化等多種複(Fú)雜的化學反(Fǎn)應，将[Jiāng]氧、氮等原子及原(Yuán)子●團●引入到[Dào]塑料薄膜的表面上），增大基膜與蒸◆鍍◆塗層之間的結合力(Lì)。在預處理[Lǐ]設備●一●定的情況下，如果預處理時間不足，◊表◊面改性不充分(Fèn)，将導緻基膜與塗層之間的結(Jié)合牢度下降；預處理◊時◊[Shí]間過[Guò]●長●[Zhǎng]，可能引起基膜較深(Shēn)層次的界面弱化，▽産▽[Chǎn]生基膜自[Zì]身的弱◇界◇[Jiè]面層，也會引◈起◈基材[Cái]表面和蒸鍍層間(Jiān)的結合力[Lì]下降。
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2.蒸鍍工藝條件對蒸[Zhēng]鍍型氧化矽[Xī]阻隔[Gé]性包▽裝▽薄膜性能的[De]影響
       

  不論采用物[Wù]理[Lǐ]蒸鍍或者化學蒸(Zhēng)鍍(Dù)，蒸鍍[Dù]工◆藝◆條件(Jiàn)都可能對蒸鍍型[Xíng]氧化矽阻隔性包裝薄膜的性能産生顯著的影(Yǐng)響，因此應當盡◊可◊能采用有∇利∇于提高蒸(Zhēng)鍍薄膜阻隔性(Xìng)的工藝條件。

（1)采用物理蒸鍍時，
      

  真空◇度◇的高低[Dī]、基材[Cái]薄膜的溫度、電子槍的(De)功率、蒸鍍原料SiO2的形狀、真空室∇中∇[Zhōng]氧▽氣▽導入的速度、蒸鍍塗層的[De]厚度（◇決◇[Jué]定于蒸鍍時間與[Yǔ]蒸◈發◈功率）等(Děng)均會(Huì)影響最∆終∆▾産▾品的[De]性能。

①蒸鍍時真空度越高，越有利于SiO2的▿蒸▿發，制得的(De)蒸鍍膜○的○質量越高。

②蒸鍍(Dù)時◊塑◊料◊基◊膜的溫度高，有利于蒸發的SiO,在塑▽料▽[Liào]基膜上沉積、形成緻密的塗層(Céng)并有利于提高蒸鍍層與塑◊料◊◇基◇膜間的黏結度，因此适當提(Tí)高塑料基膜的溫▽度▽，有利于提高蒸鍍薄(Báo)膜▿的▿質量。

③采用電子槍轟擊、∇蒸∇(Zhēng)發SiO2時，宜使用塊狀的SiO2,因為粉狀的SiO2在受電子槍轟擊時，易産○生○粉末濺射[Shè]現象[Xiàng]，影響蒸鍍膜的質量，而粉狀SiO2則有利于電阻加熱(Rè)蒸發。

④氧氣的導⋄入⋄速度影響(Xiǎng)蒸鍍層的組成，即SiOx中Si原子[Zǐ]數與0原子數的比[Bǐ]值，氧∇的∇量越大，即x的值越大，蒸[Zhēng]鍍層◇向◇(Xiàng)透明性提高的方向移動，但阻[Zǔ]隔性有降低的趨勢。當x等于2時，得到阻◈隔◈性能差的[De]、無色透明的蒸鍍層，通常x控制在1.5~1.8之間∇以∇獲得兼(Jiān)具高阻隔性及良▾好▾透明性▽的▽◈蒸◈鍍氧化矽薄膜。www.zspx.cc南京住野精工阻隔膜生産線

        蒸鍍層的厚度增加(Jiā)，蒸鍍膜的阻(Zǔ)●隔●(Gé)◇性◇增加，但當蒸鍍層的厚度超過50nm時，蒸(Zhēng)鍍層的(De)厚度再進一步(Bù)增大，蒸鍍膜的阻隔性基本保持不變，因此不能指望依靠降[Jiàng]低生産線的線速度（增加蒸鍍時間）、增加蒸(Zhēng)鍍層的厚度的▾辦▾(Bàn)法，●無●限度地▾提▾[Tí]高蒸鍍薄膜的阻[Zǔ]隔▿性▿。

（2)化學∆蒸∆鍍中(Zhōng)，高頻電磁波或微[Wēi]波頻率的選擇，應與離子化氣氛中的離子化能量●以●[Yǐ]及●蒸●鍍材料離子化所需要(Yào)的能量相匹配，高頻電磁波一般選用13.56MHz,微波一般選用[Yòng]2.45MHz,真空度在[Zài]10-2Pa左右即可獲得[Dé]優良的蒸鍍效果，而物◆理◆蒸鍍時則[Zé]●需●要更高的真[Zhēn]空(Kōng)度，即10-2~10-3Pa或者更高[Gāo]的∇真∇空[Kōng]度。

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